0.8A微觸發(fā)單向可控硅 MCR100-8 貼片晶閘管
一、MCR100-8的產(chǎn)品特征:
PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件
門極靈敏觸發(fā)
P 型對通擴(kuò)散隔離
臺面玻璃鈍化工藝
背面多層金屬電極
符合 RoHS 規(guī)范
封裝形式:SOT-23-3L、SOT-89-3L、SOT-223-3L、TO-92
二、MCR100-8的應(yīng)用:
脈沖點(diǎn)火器、負(fù)離子發(fā)生器、邏輯電路驅(qū)動、彩燈控制器、漏電保護(hù)器、吸塵器軟啟動...
三、MCR100-8的腳位圖:


四、MCR100-8的極限值(TCASE=25℃):
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDRM/VRRM | 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 | 600/800 | V |
| IT(RMS) | 通態(tài)均方根電流 | 0.8 | A |
| IT(AV) | 通態(tài)平均電流 | 0.5 | A |
| ITSM | 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 | 8 | A |
| I2t | I2t 值 | 0.32 | A2s |
| dIT/dt | 通態(tài)電流臨界上升率 | 50 | A/μs |
| IGM | 門極峰值電流 | 0.2 | A |
| PGM | 門極峰值功率 | 0.5 | W |
| PG(AV) | 門極平均功率 | 0.1 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -40~+150 | ℃ |
| Tj | 工作結(jié)溫 | -40~+110 | ℃ |
五、MCR100-8的電特性:
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| IGT | 門極觸發(fā)電流 | 10~200 | μA |
| VGT | 門極觸發(fā)電壓 | 0.8 | V |
| VGD | 門極不觸發(fā)電壓 | 0.2 | V |
| IH | 維持電流 | 3 | mA |
| IL | 擎住電流 | 4 | mA |
| dVD/dt | 斷態(tài)電壓臨界上升率 | 10 | V/μs |
| VTM | 斷態(tài)壓降 | 1.5 | V |
六、MCR100-8的型號、標(biāo)識說明:

七、MCR100-8的參數(shù)特性曲線:

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