雙N溝道場效應(yīng)管 GM8810 TSSOP-8 國產(chǎn)MOS管8810

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-06-28 10:00:33點(diǎn)擊：6次

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  雙N溝道場效應(yīng)管 GM8810 TSSOP-8 國產(chǎn)MOS管8810

  
  

  
  

  雙N溝道場效應(yīng)管 GM8810的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：

  

  
  

  
  

  雙N溝道場效應(yīng)管 GM8810的特點(diǎn)：

  • 低導(dǎo)通電阻和最大直流電流能力

  • 超高元胞密度設(shè)計(jì)

  • R_DS(ON)≤20mΩ@VGS=4.5V

  • R_DS(ON)≤23mΩ@VGS=2.5V

  • 封裝形式：TSSOP-8
    

  
  

  
  

  雙N溝道場效應(yīng)管 GM8810的應(yīng)用：

          GM8810場效應(yīng)管應(yīng)用于筆記本電源管理、便攜式設(shè)備、電池電源系統(tǒng)、DC/DC變換、負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

  
  

  
  

  雙N溝道場效應(yīng)管 GM8810的極限值：

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	20	V
  柵極-源極電壓	VGS	±8
  漏極電流-連續(xù)	ID	7	A
  漏極電流-脈沖	IDM	25
  總耗散功率 TC=25℃	PTOT	1.5	W
  總耗散功率 TC=70℃		1
  熱阻	RθJA	83	℃/W
  結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度	TJ,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  雙N溝道場效應(yīng)管 GM8810的電特性：

  如無特殊說明，溫度為25℃

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏源擊穿電壓	BVDSS	20			V
  漏源漏電流	IDSS			1	uA
  柵源漏電流	IGSS			±10	uA
  柵極門限電壓	VGS(TH)	0.4		1.1	V
  漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=7A	RDS(ON)		16	20	mΩ
  漏源導(dǎo)通電阻 VGS=2.5V,ID=6.5A			18	23
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			1	V
  輸入電容	CISS		1295		pF
  輸出電容	COSS		160
  反向傳輸電容	CRSS		87
  開啟延遲時(shí)間	tD(ON)		280		ns
  開啟上升時(shí)間	tR		328
  關(guān)閉延遲時(shí)間	tD(OFF)		3760
  關(guān)閉上升時(shí)間	tF		2240
  柵源電荷	QGS		4.2		nC
  柵漏電荷	QGD		2.6

  
  

  
  

  雙N溝道場效應(yīng)管 GM8810的外形封裝尺寸：

  

  
  

  
  

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