國產單向可控硅 TYN816 TO-220B 16A大芯片可控硅

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-07-14 09:44:41點擊：6次

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  國產單向可控硅 TYN816 TO-220B 16A大芯片可控硅

  
  

  
  

  國產單向可控硅 TYN816的引腳圖：

  

  
  

  
  

  國產單向可控硅 TYN816的應用領域：

          TYN816可控硅應用于：摩托車調壓器、LED 燈控制器、交直流電源變換、交流電開關、直發(fā)器等等。

  
  

  
  

  國產單向可控硅 TYN816的特點：
  

  • PNPN 四層結構的硅單向器件

  • P 型對通擴散隔離

  • 臺面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-220B
    

  
  

  
  

  國產單向可控硅 TYN816的極限參數(T_CASE=25℃)：

  符號	參數	數值	單位
  VDRM/VRRM	斷態(tài)重復峰值電壓	600/800	V
  IT(AV)	通態(tài)平均電流	10	A
  IT(RMS)	通態(tài)均方根電流	16
  ITSM	通態(tài)不重復浪涌電流	190
  I2t	I2t 值	180	A2s
  dIT/dt	通態(tài)電流臨界上升率	50	A/μs
  IGM	門極峰值電流	4	A
  PG(AV)	門極平均功率	1	W
  TSTG	存儲溫度	-40~+150	℃
  Tj	工作結溫	-40~+125

  
  

  
  

  國產單向可控硅 TYN816的電特性：

  符號	參數	數值	單位
  IGT	門極觸發(fā)電流	2~25	mA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	1	V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流	40	mA
  IL	擎住電流	60
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	200	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	1.6	V
  IDRM/IRRM	斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃	5	μA
  	斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃	1	mA

  
  

  
  

  國產單向可控硅 TYN816的參數特性曲線：

  

  
  

  
  

  國產單向可控硅 TYN816的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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