國(guó)產(chǎn)可控硅廠家可控硅晶閘管有哪些保護(hù)措施？

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-08-15 19:18:18點(diǎn)擊：6次

•         可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。國(guó)產(chǎn)可控硅廠家可控硅晶閘管有哪些保護(hù)措施？普通晶閘管的主要缺點(diǎn)：過(guò)流、過(guò)壓能力很差。普通晶閘管的熱容量很?。阂坏┻^(guò)流，溫度急劇上升，器件被燒壞。 　

  

          普通晶閘管承受過(guò)電壓的能力極差：電壓超過(guò)其反向擊穿電壓時(shí)，即使時(shí)間極短，也容易損壞。正向電壓超過(guò)轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)通，導(dǎo)通后的電流較大，使器件受損。 　

  
  

          一、過(guò)流保護(hù)措施 　

  
  

          1、快速熔斷器：電路中加快速熔斷器。 　

  
  

          2、過(guò)流繼電器：在輸出端串接直流過(guò)電流繼電器 　

  
  

          3、過(guò)流截止電路：利用電流反饋減小普通晶閘管的 導(dǎo)通角或停止觸發(fā)，從而切斷過(guò)流電路。 　

  
  

          二、過(guò)壓保護(hù) 　

  
  

          1、阻容吸收：利用電容吸收過(guò)壓。即將過(guò)電壓的能量變成電場(chǎng)能量?jī)?chǔ)存到電容中，然后由電阻消耗掉。 　

  
  

          2、硒整流堆：硒堆為非線性元件，過(guò)壓后迅速擊穿，其電阻減小，抑制過(guò)壓沖擊。高電壓過(guò)后，硒堆可恢復(fù)到擊穿前的狀態(tài)。

  
  

  
  

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