BTA16可控硅參數(shù) 國產(chǎn)可控硅 BTA16
國產(chǎn)可控硅 BTA16的引腳圖:

國產(chǎn)可控硅 BTA16的特點:
NPNPN 五層結構的硅雙向器件
P 型對通擴散隔離
臺面玻璃鈍化工藝
背面多層金屬電極
工作結溫高,換向能力強
高電壓變化率 dV/dt
大電流變化率 dI/dt
符合 RoHS 規(guī)范
封裝形式:TO-220A、TO-220F
國產(chǎn)可控硅 BTA16的應用領域:
加熱控制器、調(diào)速控制器、洗衣機、攪拌機、果汁機、電動工具、吸塵器等家用電器...
國產(chǎn)可控硅 BTA16的極限值(TCASE=25℃):
斷態(tài)重復峰值電壓 VDRM/VRRM -------------------------------------- 600/800V
通態(tài)均方根電流 IT(RMS) ----------------------------------------------- 16A
通態(tài)不重復浪涌電流 ITSM -------------------------------------------- 160A
通態(tài)電流臨界上升率 dIT/dt ------------------------------------------- 50A/μs
門極峰值電流 IGM ----------------------------------------------------- 4A
門極平均功率 PG(AV) -------------------------------------------------- 1W
存儲溫度 TSTG --------------------------------------------------------- -40~+150℃
工作結溫 Tj ------------------------------------------------------------ -40~+125℃
國產(chǎn)可控硅 BTA16的電特性:
1、三象限參數(shù):
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | ||
| SW | CW | BW | |||
| IGT | 門極觸發(fā)電流 | ≤10 | ≤35 | ≤50 | mA |
| VGT | 門極觸發(fā)電壓 | ≤1.3 | V | ||
| VGD | 門極不觸發(fā)電壓 | ≥0.2 | |||
| IH | 維持電流 | ≤15 | ≤30 | ≤50 | mA |
| IL | 擎住電流 I-III | ≤25 | ≤50 | ≤70 | |
擎住電流 II | ≤30 | ≤60 | ≤80 | ||
| dVD/dt | 斷態(tài)電壓臨界上升率 | ≥40 | ≥500 | ≥1000 | V/μs |
| VTM | 通態(tài)壓降 | ≤1.55 | V | ||
| IDRM/IRRM | 斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | ≤5 | μA | ||
斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | ≤1 | mA | |||
2、四象限參數(shù):
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| C | B | |||
| IGT | 門極觸發(fā)電流 I-II-III | ≤25 | ≤50 | mA |
門極觸發(fā)電流 IV | ≤50 | ≤100 | ||
| VGT | 門極觸發(fā)電壓 | ≤1.3 | V | |
| VGD | 門極不觸發(fā)電壓 | ≥0.2 | ||
| IH | 維持電流 | ≤25 | ≤50 | mA |
| IL | 擎住電流 I-III-IV | ≤40 | ≤60 | |
擎住電流 II | ≤80 | ≤120 | ||
| dVD/dt | 斷態(tài)電壓臨界上升率 | ≤200 | ≥400 | V/μs |
| VTM | 通態(tài)壓降 | ≤1.55 | V | |
| IDRM/IRRM | 斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | ≤5 | μA | |
斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | ≤1 | mA | ||
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