BTB12技術(shù)參數(shù) 雙向可控硅 BTB12
雙向可控硅 BTB12的特點(diǎn):
NPNPN 五層結(jié)構(gòu)的硅雙向器件
P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離
臺(tái)面玻璃鈍化工藝
背面多層金屬電極
工作結(jié)溫高,換向能力強(qiáng)
高電壓變化率 dV/dt
大電流變化率 dI/dt
符合 RoHS 規(guī)范
封裝形式:TO-220B、TO-263
雙向可控硅 BTB12的應(yīng)用:
BTB12雙向可控硅應(yīng)用于:加熱控制器、調(diào)速控制器、洗衣機(jī)、攪拌機(jī)、咖啡壺、電動(dòng)工具、吸塵器等家用電器。
雙向可控硅 BTB12的引腳圖:

雙向可控硅 BTB12的極限值(TCASE=25℃):
斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 VDRM/VRRM -------------------------------------- 600/800V
通態(tài)均方根電流 IT(RMS) ----------------------------------------------- 12A
通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 ITSM -------------------------------------------- 120A
通態(tài)電流臨界上升率 dIT/dt ------------------------------------------- 50A/μs
門極峰值電流 IGM ----------------------------------------------------- 4A
門極平均功率 PG(AV) -------------------------------------------------- 1W
存儲(chǔ)溫度 TSTG --------------------------------------------------------- -40~+150℃
工作結(jié)溫 Tj ------------------------------------------------------------ -40~+125℃
雙向可控硅 BTB12的電特性:
1、三象限參數(shù):
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | ||
| TW | SW | CW | |||
| IGT | 門極觸發(fā)電流 | ≤5 | ≤10 | ≤35 | mA |
| VGT | 門極觸發(fā)電壓 | ≤1.3 | V | ||
| VGD | 門極不觸發(fā)電壓 | ≥0.2 | |||
| IH | 維持電流 | ≤10 | ≤15 | ≤35 | mA |
| IL | 擎住電流 I-III | ≤10 | ≤25 | ≤50 | |
擎住電流 II | ≤15 | ≤30 | ≤60 | ||
| dVD/dt | 斷態(tài)電壓臨界上升率 | ≥20 | ≥40 | ≥500 | V/μs |
| VTM | 通態(tài)壓降 | ≤1.55 | V | ||
2、四象限參數(shù):
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | ||
| S | C | B | |||
| IGT | 門極觸發(fā)電流 I-II-III | ≤10 | ≤25 | ≤50 | mA |
門極觸發(fā)電流 IV | ≤25 | ≤50 | ≤100 | ||
| VGT | 門極觸發(fā)電壓 | ≤1.3 | V | ||
| VGD | 門極不觸發(fā)電壓 | ≥0.2 | |||
| IH | 維持電流 | ≤25 | ≤30 | ≤50 | mA |
| IL | 擎住電流 I-III-IV | ≤30 | ≤40 | ≤50 | |
擎住電流 II | ≤40 | ≤60 | ≤80 | ||
| dVD/dt | 斷態(tài)電壓臨界上升率 | ≥100 | ≥200 | ≥500 | V/μs |
| VTM | 通態(tài)壓降 | ≤1.55 | V | ||
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