N溝道MOS管 GM1530 SOT-23 150V場(chǎng)效應(yīng)管

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-09-12 11:09:24點(diǎn)擊：6次

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  N溝道MOS管 GM1530 SOT-23 150V場(chǎng)效應(yīng)管

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM1530的特點(diǎn)：
  

  • 低導(dǎo)通電阻和最大直流電流能力

  • 超高元胞密度設(shè)計(jì)

  • R_DS(ON)TYP300mΩ@VGS=10V
    

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM1530的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 筆記本電源管理

  • LED 驅(qū)動(dòng)

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用
    

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM1530的引腳圖：

  

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM1530的極限值：

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	150	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TC=25℃	ID	1.5	A
  漏極電流-脈沖	IDM	5
  總耗散功率 TC=25℃	PTOT	1.25	W
  熱阻	RθJA	65	℃/W
  結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度	TJ,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM1530的電特性：

  (如無(wú)特說(shuō)說(shuō)明，T_A=25℃)

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	150			V
  柵極開(kāi)啟電壓	VGS(th)	1.5	2	2.5
  零柵壓漏極電流	IDSS			1	uA
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=1.5A,VGS=10V	RDS(ON)		300	330	mΩ
  漏極-源極電流	ISD			1.5	A
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			1.2	V
  輸入電容	CISS		235		pF
  共源輸出電容	COSS		36
  柵源電荷密度	Qgs		1.4		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		2.1
  開(kāi)啟延遲時(shí)間	td(on)		8		ns
  開(kāi)啟上升時(shí)間	tr		10
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		20
  開(kāi)啟下降時(shí)間	tf		15

  
  

  
  

  N溝道MOS管 GM1530的典型特性曲線：

  

  
  

  
  

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