100VN溝道MOS管 EMBA0N10G SOP-8 場(chǎng)效應(yīng)管 EMBA0N10G

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-10-23 15:51:58點(diǎn)擊：6次

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  100VN溝道MOS管 EMBA0N10G SOP-8 場(chǎng)效應(yīng)管 EMBA0N10G

  
  

  
  

  100VN溝道MOS管 EMBA0N10G的引腳圖：
  

  

  
  

  
  

  100VN溝道MOS管 EMBA0N10G的極限：

  (如無(wú)其他說(shuō)明，T_A=25℃)
  

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	100	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TA=25℃	ID	5	A
  漏極電流-連續(xù) TA=100℃		3.3
  漏極電流-脈沖	IDM	20
  雪崩電流	IAS	5
  雪崩能量	EAS	1.25	mJ
  重復(fù)雪崩能量	EAR	0.625
  功耗 TA=25℃	PD	2.5	W
  功耗 TA=100℃		1
  結(jié)溫，存儲(chǔ)溫度范圍	Tj，Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  100VN溝道MOS管 EMBA0N10G的電特性：
  

  (如無(wú)其他說(shuō)明，T_A=25℃)

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	100			V
  柵極開(kāi)啟電壓	VGS(th)	1	1.8	3
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 VDS=80V,VGS=0V	IDSS			1	μA
  零柵壓漏極電流 VDS=70V,VGS=0V，Tj=125℃				25
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=5A	RDS(ON)		90	100	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=5V,ID=3A			100	125
  正向跨導(dǎo)	gfs		9		S
  輸入電容	Ciss		1490		pF
  輸出電容	Coss		76
  反向傳輸電容	Crss		63
  柵源電荷密度	Qgs		3.5		nC
  柵漏電荷密度	Qgd		9.2
  開(kāi)啟延遲時(shí)間	td(on)		10		nS
  開(kāi)啟上升時(shí)間	tr		25
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		20
  開(kāi)啟下降時(shí)間	tf		20

  
  

  
  

  100VN溝道MOS管 EMBA0N10G的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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