達林頓芯片的半導體器件場效應晶體管有哪幾種？

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-11-05 16:57:52點擊：6次

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          達林頓芯片的半導體器件場效應晶體管有哪幾種？場效應晶體管依靠一塊薄層半導體受橫向電場影響而改變其電阻（簡稱場效應），使具有放大信號的功能。這薄層半導體的兩端接兩個電極稱為源和漏?？刂茩M向電場的電極稱為柵。根據(jù)柵的結構,場效應晶體管可以分為三種：

  

          1、結型場效應管(用PN結構成柵極)；

  
  

          2、MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統(tǒng)）；

  
  

          3、MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用最廣泛。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。MES場效應管一般用在GaAs微波晶體管上。

  
  

          在MOS器件的基礎上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件 (CCD)，它是以半導體表面附近存儲的電荷作為信息，控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉移。這種器件通常可以用作延遲線和存儲器等；配上光電二極管列陣，可用作攝像管。

  
  

  
  

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