GM6430 100V場效應(yīng)管 GM6430 SOT-23 貼片MOS管

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-11-11 14:39:13點(diǎn)擊：6次

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  GM6430 100V場效應(yīng)管 GM6430 SOT-23 貼片MOS管

  
  

  
  

  100V場效應(yīng)管 GM6430的引腳圖：
  

  

  
  

  
  

  100V場效應(yīng)管 GM6430的極限值：

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	60	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù)	IDR	4	A
  漏極電流-脈沖	IDRM	8
  總耗散功率 TA=25℃	PD	1200	mW
  熱阻	RθJA	150	℃/W
  結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度	TJ,Tstg	150℃,-55~+150℃

  
  

  
  

  100V場效應(yīng)管 GM6430的電特性：

  (如無特說說明，T_A=25℃)

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	60			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	1		3
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			1.5
  零柵壓漏極電流	IDSS			1	uA
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=4A,VGS=10V	RDS(ON)		30	36	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=3A,VGS=4.5V			36	43
  輸入電容	CISS			950	pF
  共源輸出電容	COSS			325
  開啟時(shí)間	t(on)			50	ns
  關(guān)斷時(shí)間	t(off)			90

  
  

  
  

  100V場效應(yīng)管 GM6430的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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