可控硅100-8 單向可控硅 MCR100-8 SOT-89-3L 可控硅的應(yīng)用

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-11-24 10:21:25點擊：6次

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  可控硅100-8 單向可控硅 MCR100-8 SOT-89-3L 可控硅的應(yīng)用

  
  

  
  

  單向可控硅 MCR100-8的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 脈沖點火器

  • 負(fù)離子發(fā)生器

  • 邏輯電路驅(qū)動

  • 彩燈控制器

  • 漏電保護器

  • 吸塵器軟啟動
    

  
  

  
  

  單向可控硅 MCR100-8的引腳圖：

  

  
  

  
  

  單向可控硅 MCR100-8的特點：

  • PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件

  • 門極靈敏觸發(fā)

  • P 型對通擴散隔離

  • 臺面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：SOT-89-3L

  
  

  
  

  單向可控硅 MCR100-8的極限參數(shù)(T_CASE=25℃)：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM ------------------------------------------  600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS) --------------------------------------------------  0.8A

  • 通態(tài)平均電流 I_T(AV) ------------------------------------------------------  0.5A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM -----------------------------------------------  8A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt -----------------------------------------------  50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM ---------------------------------------------------------  0.2A

  • 門極峰值功率 P_GM --------------------------------------------------------  0.5W

  • 門極平均功率 P_G(AV) ------------------------------------------------------  0.1W

  • 存儲溫度 T_STG -------------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 T_J ----------------------------------------------------------------  -40~+110℃
    

  
  

  
  

  單向可控硅 MCR100-8的電性能：

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  IGT	門極觸發(fā)電流	10~200	μA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	0.8	V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流	3	mA
  IL	擎住電流	4
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	10	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	1.5	V

  
  

  
  

  單向可控硅 MCR100-8的型號、標(biāo)識說明：

  

  
  

  
  

  單向可控硅 MCR100-8的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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