國(guó)產(chǎn)100-8替代 微觸發(fā)可控硅 MCR100-8 TO-92 可控硅引腳圖

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-12-16 10:14:13點(diǎn)擊：6次

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  國(guó)產(chǎn)100-8替代 微觸發(fā)可控硅 MCR100-8 TO-92 可控硅引腳圖

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-8的引腳圖：

  

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-8的應(yīng)用：

         微觸發(fā)可控硅 MCR100-8應(yīng)用于：脈沖點(diǎn)火器、負(fù)離子發(fā)生器、邏輯電路驅(qū)動(dòng)、彩燈控制器、漏電保護(hù)器、吸塵器軟啟動(dòng)等等。

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-8的特點(diǎn)：

  • PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件

  • 門極靈敏觸發(fā)

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-92
    

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-8的極限參數(shù)（T_CASE=25℃）：

  • 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 V_DRM/V_RRM ------------------------------------  600/800V

  • 通態(tài)均方根電流 I_T(RMS) ---------------------------------------------  0.8A

  • 通態(tài)平均電流 I_T(AV) -------------------------------------------------  0.5A

  • 通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 I_TSM ------------------------------------------  8A

  • 通態(tài)電流臨界上升率 dI_T/dt -----------------------------------------  50A/μs

  • 門極峰值電流 I_GM ---------------------------------------------------  0.2A

  • 門極峰值功率 P_GM --------------------------------------------------  0.5W

  • 門極平均功率 P_G(AV) -----------------------------------------------  0.1W

  • 存儲(chǔ)溫度 T_STG ------------------------------------------------------  -40~+150℃

  • 工作結(jié)溫 T_j ----------------------------------------------------------  -40~+110℃
    

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-8的電特性：

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  IGT	門極觸發(fā)電流	10（MIN值） 200（MAX值）	μA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	0.8	V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流	3	mA
  IL	擎住電流	4
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	10	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	1.5	V

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-8的特性曲線圖：

  

  
  

  
  

  微觸發(fā)可控硅 MCR100-8的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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