SSM33 鋰電保護(hù)電路 鋰電保護(hù)IC SSM33的應(yīng)用問(wèn)題

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-02-25 10:15:35點(diǎn)擊：6次

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  SSM33 鋰電保護(hù)電路 鋰電保護(hù)IC SSM33的應(yīng)用問(wèn)題

  
  

  
  

  鋰電保護(hù)IC SSM33的概述：

         SSM33 系列電路是一款高精度的單節(jié)可充電鋰電池的過(guò)充電和過(guò)放電保護(hù)電路，它集高精度過(guò)電壓充電保護(hù)、過(guò)電壓放電保護(hù)、過(guò)電流放電保護(hù)等性能于一身。同時(shí)鑒于 CPC8的創(chuàng)新型封裝，SSM33 把低內(nèi)阻的 N-MOS 也集封在一起，而且又能兼容外擴(kuò) MOS 的需求。

   

         正常狀態(tài)下，SSM33 的 VDD 端電壓在過(guò)電壓充電 保護(hù)閾值（VOC）和過(guò)電壓放電保護(hù)閾值（VOD）之間，

   

         且其 CS 檢測(cè)端電壓在充電器檢測(cè)電壓（VCHG）與過(guò)電流放電保護(hù)閾值（VEDI）之間，此時(shí)SSM33 的 OC 端和 OD 端都輸出高電平，分別使外接充電控制 N-MOS 管 Q1 和放電控制 N-MOS 管 Q2 導(dǎo)通。這時(shí),既可以使用充電器對(duì)電池充電，也可以通過(guò)負(fù)載使電池放電。

   

         SSM33 通過(guò)檢測(cè) VDD 或 CS 端電壓（相對(duì)于 GND 端）來(lái)進(jìn)行過(guò)充/放電保護(hù)。當(dāng)充/放電保護(hù)條件發(fā)生時(shí)，OC/OD 由高電平變?yōu)榈碗娖?，?nbsp;Q1/Q2 由導(dǎo)通變?yōu)榻刂?，從而?放電過(guò)程停止。

   

         SSM33 對(duì)每種保護(hù)狀態(tài)都有相應(yīng)的恢復(fù)條件，當(dāng)恢復(fù)條件滿足以后，OC/OD 由低電平變?yōu)楦唠娖剑?使 Q1/Q2 由截止變?yōu)閷?dǎo)通，從而進(jìn)入正常狀態(tài)。

  SSM33 對(duì)每種保護(hù)/恢復(fù)條件都設(shè)置了一定的延 遲時(shí)間，只有在保護(hù)/恢復(fù)條件持續(xù)到相應(yīng)的時(shí)間以后,才進(jìn)行相應(yīng)的保護(hù)/恢復(fù)。如果保護(hù)/恢復(fù)條件在相應(yīng)的延遲時(shí)間以前消除，則不進(jìn)入保護(hù)/恢復(fù)狀態(tài)。

  
  

  
  

  鋰電保護(hù)IC SSM33的特點(diǎn)：

  • 集封了先進(jìn)的低內(nèi)阻 N-MOS，同時(shí)應(yīng)實(shí)際應(yīng)用需求可以外擴(kuò)多個(gè) N-MOS。

  • 單節(jié)鋰離子或聚合物電池的理想保護(hù)電路

  • 高精度的保護(hù)電壓（過(guò)充/過(guò)放）檢測(cè)

  • 在過(guò)放電情況下，可選擇允許低功耗模式或禁止低功耗模式

  • 高精度過(guò)電流放電保護(hù)檢測(cè)

  • 電池短路保護(hù)

  • 可選擇多種型號(hào)的檢測(cè)電壓和延遲時(shí)間

  • 可選擇不同型號(hào) 0V-電池充電允許/禁止

  • 極少的外圍元器件

  • 超小型化創(chuàng)新型的 CPC8 封裝
    

  
  

  
  

  鋰電保護(hù)IC SSM33的應(yīng)用：

  • 鋰電池的充電、放電保護(hù)電路

  • 鋰電池保護(hù)板，移動(dòng)電源，藍(lán)牙音箱

  • 電話機(jī)電池或其它鋰電池高精度保護(hù)器
    

  
  

  
  

  鋰電保護(hù)IC SSM33的管腳排列圖：
  

  

  
  

  
  

  鋰電保護(hù)IC SSM33的功能框架圖：

  

  
  

  
  

  鋰電保護(hù)IC SSM33的引腳描述：

  

  
  

  
  

  鋰電保護(hù)IC SSM33的極限參數(shù)：

  • 供電電源 VDD：-0.3V~+10V

  • CS、OC 端允許輸入電壓：VDD-35V~VDD+0.3V

  • OD 端允許輸入電壓：-0.3~VDD+0.3V

  • 工作溫度 TA：-40℃~+85℃

  • 結(jié)溫：150℃

  • 貯存溫度：-65℃~150℃

  • 焊接溫度（焊錫，10秒）：260℃
    

  注：超出所列的極限參數(shù)可能導(dǎo)致器件的永久性損壞。以上給出的僅僅是極限范圍，在這樣的極限條件下工作，器件的技術(shù)指標(biāo)將得不到保證，長(zhǎng)期在這種條件下還會(huì)影響器件的可靠性。
  

  
  

  
  

  鋰電保護(hù)IC SSM33的電特性：

  除非特別注明，典型的測(cè)試條件：V_DD=3.6V,T_A=25℃。標(biāo)注“◆”的工作溫度為：-40℃≤T_A≤85℃

  

  

  
  

  
  

  鋰電保護(hù)IC SSM33的應(yīng)用中的幾個(gè)問(wèn)題：

  
  

  Q1 和 Q2 的選擇

          Q1和Q2可以選擇同型號(hào)的N-MOS 管，其柵極-源極開(kāi)啟電壓 VGS（th）在 0.4V 與過(guò)電壓放電保護(hù)閾值 VOD 之間。如果 VGS（th）小于 0.4V，則可能會(huì)導(dǎo)致過(guò)電壓充電保護(hù)保護(hù)時(shí)，Q1 不能有效的“關(guān)閉”；如果 VGS（th）大于 VOD，則可能會(huì)在未進(jìn)入過(guò)電壓放電保護(hù)狀態(tài)下，Q2 提前“關(guān)閉”。
  
  

          同時(shí)，Q1 和 Q2 的柵極-源極承受電壓 VGS 應(yīng)大于使用充電器時(shí) VDD 端的電壓，否則在對(duì)電池充電過(guò)程中，可能會(huì)導(dǎo)致 Q1 和 Q2 的損壞。 

  
  

  C1 的確定

  
  

          CI 與 R1 構(gòu)成濾波網(wǎng)絡(luò)，對(duì) VDD 端電壓進(jìn)行去藕。C1 可選擇 0.1μF 的陶瓷電容。 

  
  

  
  

  R1 和 R2 的確定

  
  

          R1 的推薦使用 100Ω 的電阻，R2 的推薦使用 1kΩ 的電阻，要求 R1 的阻值小于 R2。 

  
  

          因?yàn)楦鞣N檢測(cè)閾值是對(duì)于 SSM33 電路 VDD 端電壓而言，而 VDD 端通過(guò) R1 與電池連接,如果 R1 太大，將會(huì)導(dǎo)致各檢測(cè)閾值與電池實(shí)際電壓偏差增加；同時(shí)，如果充電器接反，可能會(huì)使 SSM33 電路的 VDD 端與 GND 端電壓超過(guò)極限值，導(dǎo)致電路損壞，因此 R1 不宜太大，應(yīng)控制在 500Ω 以內(nèi)。 

  
  

          R2 不宜太小，當(dāng)充電器接反或充電器充電電壓太高時(shí)，它可以作為限流電阻來(lái)保護(hù) SSM33 電路；同時(shí) R2 亦不能太大，否則當(dāng)充電器充電電壓太高時(shí)，充電電流將不能被有效“切斷”，因此，R2 應(yīng)控制在 500Ω 至 1.3kΩ之間。 

  
  

  
  

  鋰電保護(hù)IC SSM33的封裝尺寸：
  

  

  
  

  
  

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