30VP溝道MOS管 60P03 PDFN3X3-8L 極小封裝MOS管 低壓MOS

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-03-13 14:22:09點(diǎn)擊：6次

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  30VP溝道MOS管 60P03 PDFN3X3-8L 極小封裝MOS管 低壓MOS

  
  

  
  

  30VP溝道MOS管 60P03的引腳排列圖：

  

  
  

  
  

  30VP溝道MOS管 60P03的特點(diǎn)：
  

  • V_DS=-30V

  • I_D=-60A

  • R_DS(ON)＜8mΩ@V_GS=-10V

  • 封裝：PDFN3X3-8L

  
  

  
  

  30VP溝道MOS管 60P03的應(yīng)用：

  • 鋰電池保護(hù)

  • 手機(jī)快充
    

  
  

  
  

  30VP溝道MOS管 60P03的極限參數(shù)：

  (如無(wú)特殊說(shuō)明，T_C=25℃)

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDS	漏極-源極電壓	-30	V
  VGS	柵極-源極電壓	±20
  ID	漏極電流-連續(xù) (TC=25℃)	-60	A
  	漏極電流-連續(xù) (TC=100℃)	-32
  IDM	漏極電流-脈沖	-200
  EAS	單脈沖雪崩能量	125	mJ
  IAS	雪崩電流	-50	A
  PD	總耗散功率 (TC=25℃)	38	W
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~150
  RθJA	結(jié)到環(huán)境的熱阻	65	℃/W
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	3.3

  
  

  
  

  30VP溝道MOS管 60P03的電特性：

  (如無(wú)特殊說(shuō)明，T_J=25℃)

  符號(hào)	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	-30	-32		V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-10A		6.8	8	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-8A		9.3	13
  VGS(th)	柵極開啟電壓	-1.2	-1.6	-2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V,TJ=25℃			-1	μA
  	零柵壓漏極電流 VDS=-24V,VGS=0V,TJ=55℃			-5
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極總電荷		30		nC
  Qgs	柵源電荷密度		10
  Qgd	柵漏電荷密度		10.4
  Ciss	輸入電容		3448		pF
  Coss	輸出電容		508
  Crss	反向傳輸電容		421
  td(on)	開啟延遲時(shí)間		9.4		ns
  tr	開啟上升時(shí)間		10.2
  td(off)	關(guān)斷延遲時(shí)間		117
  tf	開啟下降時(shí)間		24

  
  

  
  

  30VP溝道MOS管 60P03的封裝外形尺寸圖：

  

  
  

  
  

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