常用MOSFET型號 4N65 插件場效應(yīng)管 高壓N溝道MOS管

• 來源：宇芯電子 更新時間：2021-03-17 15:55:36點擊：6次

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  常用MOSFET型號 4N65 插件場效應(yīng)管 高壓N溝道MOS管

  
  

  
  

  常用MOSFET型號 4N65的符號圖：
  

  

  
  

  
  

  常用MOSFET型號 4N65的特點：

  • V_DS=650V

  • I_D=4A

  • R_DS(ON)＜2.4Ω@V_GS=10V

  • 封裝：TO-220、TO-220F、TO-252、TO-251
    

  
  

  
  

  常用MOSFET型號 4N65的應(yīng)用：

  • 不間斷電源(UPS)

  • 功率因數(shù)補償(PFC)

  
  

  
  

  常用MOSFET型號 4N65的極限值：
  

  (如無特殊要求，T_C=25℃)

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDSS	漏極-源極電壓	650	V
  VGSS	柵極-源極電壓	±30
  ID	漏極電流-連續(xù)	4	A
  IDM	漏極電流-脈沖	16
  PD	總耗散功率 TC=25℃	36	W
  EAS	單脈沖雪崩能量	160	mJ
  EAR	重復(fù)雪崩能量	20
  IAR	雪崩電流	4	A
  TSTG	存儲溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~150
  RθJA	結(jié)到環(huán)境的熱阻	62.5	℃/W
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	3.47

  
  

  
  

  常用MOSFET型號 4N65的電特性：

  (如無特殊要求，T_A=25℃)

  符號	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  V(BR)DSS	漏極-源極擊穿電壓	650			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=2A		2	2.4	Ω
  VGS(th)	柵極開啟電壓	3		4	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=650V，VGS=0V，TJ=25℃			1	uA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極電荷		15		nC
  Qgs	柵源電荷密度		2.5
  Qgd	柵漏電荷密度		7.5
  Ciss	輸入電容		580		pF
  Coss	輸出電容		69.5
  Crss	反向傳輸電容		10.9
  td(on)	開啟延遲時間		12		ns
  tr	開啟上升時間		22
  td(off)	關(guān)斷延遲時間		50
  tf	開啟下降時間		48

  
  

  
  

  常用MOSFET型號 4N65的封裝外形尺寸：

  1、TO-252：
  

  

  
  

  
  

  2、TO-251：

  

  
  

  3、TO-220F：

  

  
  

  
  

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