P溝道MOS管 16P01 負(fù)載開關(guān)用MOS QFN2X2-6L 功率場(chǎng)效應(yīng)管型號(hào)
P溝道MOS管 16P01的管腳圖：
P溝道MOS管 16P01的特點(diǎn)：
VDS=-12V
ID=-16A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=-4.5V
封裝：QFN2X2-6L
P溝道MOS管 16P01的應(yīng)用：
電子煙
負(fù)載開關(guān)
P溝道MOS管 16P01的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-12V
柵極-源極電壓 VGS：±8V
漏極電流-連續(xù) ID：-16A
漏極電流-脈沖 IDM：-60A
總耗散功率 PD：2.4W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：52℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：6.9℃/W
P溝道MOS管 16P01的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -12 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 14.4 | 18 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-8.9A | 18.9 | 21 | |||
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-1.8V,ID=-4.5A | 26.4 | 38 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.4 | -1 | V | |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 | -1 | μA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 21 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2138 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 685 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 650 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 30 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 48 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 97 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 65 |
P溝道MOS管 16P01的封裝外形尺寸：
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