P溝道小MOS管 13P10 TO-252 電源開關(guān)用MOS -100V場效應(yīng)管
P溝道小MOS管 13P10的產(chǎn)品特點(diǎn)：
VDS=-100V
ID=-13A
RDS(ON)＜170mΩ@VGS=-10V
高密度電池設(shè)計(jì)
低導(dǎo)通內(nèi)阻
封裝：TO-252
P溝道小MOS管 13P10的應(yīng)用領(lǐng)域：
電源開關(guān)
DC/DC變換
P溝道小MOS管 13P10的極限參數(shù)：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：-13A
漏極電流-脈沖 IDM：-30A
總耗散功率 PD：40W
單脈沖雪崩能量 EAS：110mJ
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
P溝道小MOS管 13P10的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-16A | 145 | 175 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1 | -3 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±10 | μA | ||
| gfs | 正向跨導(dǎo) | 12 | S | ||
| Qg | 柵極電荷 | 25 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 7 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 760 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 260 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 170 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 14 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 18 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 50 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 18 |
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