國(guó)產(chǎn)替換MOS N+P溝道MOS管 15G03 PDFN5X6-8L 低壓MOSFET
國(guó)產(chǎn)替換MOS 15G03的產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=18A
RDS(ON)＜22mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-15A
RDS(ON)＜32mΩ@VGS=-10V
國(guó)產(chǎn)替換MOS 15G03的應(yīng)用領(lǐng)域：
無(wú)線充電
無(wú)刷馬達(dá)
國(guó)產(chǎn)替換MOS 15G03的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 30 | -30 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TA=25℃) | 18 | -15 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TA=100℃) | 10 | -8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 52 | -46 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 22 | 45 | mJ |
| IAS | 單脈沖雪崩電流 | 21 | 30 | A |
| PD | 總耗散功率 (TA=25℃) | 18 | 18 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 55 | 55 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
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