低壓MOSFET 100V/1.5A 1N10 SOT-23 噴霧器用NMOS管 MOS管應(yīng)用
低壓MOSFET 1N10的應(yīng)用：
噴霧器
負(fù)載開(kāi)關(guān)
UPS 不間斷電源
低壓MOSFET 1N10的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：1.5A
漏極電流-脈沖 IDM：6A
總耗散功率 PD：1.2W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：104℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：75℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
低壓MOSFET 1N10的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=1.5A | 430 | 500 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=1A | 460 | 550 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| Qg | 柵極電荷 | 6.47 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.27 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 1.29 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 232 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 23 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 24 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 4.6 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 18 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 16 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 27.4 |
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