1000V高壓NMOS管2N100 TO-252 貼片功率場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管應(yīng)用選型
1000V高壓NMOS管2N100的應(yīng)用領(lǐng)域：
不間斷電源 UPS
功率因數(shù)校正 PFC
1000V高壓NMOS管2N100的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 1000 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±30 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) | 2 | A |
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 8 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 45 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 3 | A |
| EAR | 重復(fù)雪崩能量 | 27 | mJ |
| PD | 總耗散功率 | 75 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 60 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 1.67 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~+150 |
1000V高壓NMOS管2N100的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TA=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 1000 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=1A | 6 | 7.2 | Ω | |
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 16 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 8 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 419 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 45 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 9 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 36 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 12 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 100 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 43 |
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