貼片低壓PMOS管60P02 TO-252 MOS管選型 60V/20A 常用MOSFET
貼片低壓PMOS管60P02的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
不間斷電源（UPS）
貼片低壓PMOS管60P02的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-20V
柵極-源極電壓 VGS：±12V
漏極電流-連續(xù) ID：-60A
漏極電流-脈沖 IDM：-200A
總耗散功率 PD：60W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：75℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：3.6℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
貼片低壓PMOS管60P02的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | -22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 8 | 12 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-5A | 11 | 16 | |||
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | -0.4 | -0.65 | -1 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 63 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 9.1 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 13 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1600 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 350 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 300 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 10 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 15 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 110 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 70 |
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