中低壓MOS管 30G04 PDFN5X6-8L N+PMOS管 國(guó)產(chǎn)替代場(chǎng)效應(yīng)管
中低壓MOS管 30G04的引腳圖：
中低壓MOS管 30G04的參數(shù)特點(diǎn)：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=38A
RDS(ON)＜10mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-35A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=-10V
中低壓MOS管 30G04的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏極-源極電壓 | 40 | -40 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) (TC=25℃) | 38 | -35 | A |
| 漏極電流-連續(xù) (TC=100℃) | 31 | -29 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 144 | -129 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 128 | 185 | mJ |
| IAS | 單脈沖雪崩電流 | 16 | -18 | A |
| PD | 總耗散功率 (TC=25℃) | 48 | 51.3 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 25 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 2.3 | 2.3 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | -55~150 | |
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