20VN溝道MOS管 100N02 PDFN3X3-8L 貼片場效應管 低內阻MOSFET
20VN溝道MOS管 100N02的引腳圖：
20VN溝道MOS管 100N02的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 20 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±12 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 100 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 48 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 270 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 80 | mJ |
| IAS | 雪崩電流 | 40 | A |
| PD | 總耗散功率 | 83 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結到環(huán)境的熱阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 結到管殼的熱阻 | 1.5 |
20VN溝道MOS管 100N02的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 20 | 22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=4.5V,ID=20A | 1.8 | 2.5 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導通電阻 VGS=2.5V,ID=20A | 2.8 | 3.9 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 0.5 | 0.68 | 1 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=20V,VGS=0V | 1 | μA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 48 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 3.6 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 19 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 4307 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 501 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 321 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 9.7 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 37 | |||
| td(off) | 關斷延遲時間 | 63 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 52 |
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