100VNMOS管 140N10 TO-252 LED用MOSFET 國產(chǎn)場效應(yīng)管
100VNMOS管 140N10的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID (TC=25℃)：140A
漏極電流-脈沖 IDM：417A
單脈沖雪崩能量 EAS：245mJ
雪崩電流 IAS：42A
總耗散功率 PD (TC=25℃)：167W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：0.88℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：62℃/W
存儲溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
100VNMOS管 140N10的電特性：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 4.5 | 5.5 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 2 | 2.9 | 4 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 42 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 9.7 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 10.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 2816 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 614 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 7.4 | |||
| td(on) | 開啟延遲時間 | 12 | ns | ||
| tr | 開啟上升時間 | 25 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時間 | 43 | |||
| tf | 開啟下降時間 | 37 |
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