低壓MOS管 4V02 SOT23-6L 貼片場(chǎng)效應(yīng)管 20V P+P溝道MOS管
低壓MOS管 4V02的引腳圖：
低壓MOS管 4V02的主要參數(shù)：
VDS=-20V
ID=-4.5A
RDS(ON)＜60mΩ@VGS=4.5V(Type：49mΩ)
封裝：SOT23-6L
低壓MOS管 4V02的極限值：
(如無特殊說明，TA=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：-20V
柵極-源極電壓 VGS：±12V
漏極電流-連續(xù) ID：-4.5A
漏極電流-脈沖 IDM：-14A
總耗散功率 PD：1.5W
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：85℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：25℃/W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~150℃
低壓MOS管 4V02的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -20 | -22 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 49 | 60 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-2.5V,ID=-3A | 64 | 80 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -0.45 | -0.6 | -1 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 10.1 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 1.21 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 2.46 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 677 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 82 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 73 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 5.6 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 32.2 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 45.6 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 29.2 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
