P溝道MOS管 5P10 SOT23-3L 貼片MOSFET 100V/5A 中低壓場效應(yīng)管
P溝道MOS管 5P10的主要參數(shù)：
電壓 VDS：-100V
電流 ID：-5A
內(nèi)阻 RDS(ON)＜220mΩ@VGS=10V(Type：180mΩ)
P溝道MOS管 5P10的應(yīng)用領(lǐng)域：
無刷馬達(dá)
負(fù)載開關(guān)
UPS不間斷電源
P溝道MOS管 5P10的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | -100 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | -5 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | -1.7 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | -16 | |
| PD | 總耗散功率(TC=25℃) | 1.5 | W |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 6.45 | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
P溝道MOS管 5P10的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-10V,ID=-3A | 180 | 220 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=-4.5V,ID=-2A | 200 | 250 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | -1.3 | -1.85 | -2.3 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 25 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1270 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 36 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 30 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 15 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 17 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 45 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 16 |
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