250V場效應(yīng)管 4N25 SOT23-3L N溝道MOS管 4N25國產(chǎn)MOSFET
250V場效應(yīng)管 4N25的主要參數(shù)：
VDS=250V
ID=4V
RDS(ON)＜1700mΩ@VGS=10V(Type：1000mΩ)
封裝：SOT23-3L
250V場效應(yīng)管 4N25的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 250 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù) TC=25℃ | 4 | A |
| 漏極電流-連續(xù) TC=100℃ | 2.8 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 12 | |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 2 | W |
| 總耗散功率 TA=25℃ | 1.1 | ||
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 3.9 | |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 |
250V場效應(yīng)管 4N25的電特性：
(如無特殊說明，TJ=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 250 | 285 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=7A | 1000 | 1700 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 17.5 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 4.5 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.7 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 155 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 35 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 4.8 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 6.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 45 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 6.4 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 22 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
