N溝道MOS管 90N12 TO-220 90A/120V 國產(chǎn)替代MOSFET
N溝道MOS管 90N12的主要參數(shù)：
VDS=120V
ID=90A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=10V(Type：7.5mΩ)
封裝：TO-220
N溝道MOS管 90N12的極限值：
(如無特殊說明，TC=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 120 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TA=25℃) | 90 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TA=75℃) | 35 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 270 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 125 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 160 | W |
| TSTG | 存儲溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 0.89 |
N溝道MOS管 90N12的電特性：
(如無特殊說明，Tj=25℃)
| 符號 | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 120 | 135 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 7.5 | 9 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=10A | 9 | 12 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.5 | 2 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=120V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | μA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=120V,VGS=0V,TJ=100℃ | 100 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 30 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 5.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 6 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1854 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 270 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 10 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 9.5 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 4.2 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 27.2 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 6.6 |
網(wǎng)站首頁可控硅集成電路MOS管產(chǎn)品中心生產(chǎn)實(shí)力技術(shù)支持新聞資訊關(guān)于宇芯聯(lián)系我們
掃二維碼進(jìn)入手機(jī)網(wǎng)站 
掃二維碼進(jìn)入微信 
