MOS管20N06 TO-252 貼片場(chǎng)效應(yīng)管 20N06

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-08-20 15:31:25點(diǎn)擊：6次

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  MOS管20N06 TO-252 貼片場(chǎng)效應(yīng)管 20N06

  
  

  
  

  貼片場(chǎng)效應(yīng)管 20N06的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 功率切換應(yīng)用程序

  • 高頻電路

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  貼片場(chǎng)效應(yīng)管 20N06的引腳圖：

  

  
  

  
  

  貼片場(chǎng)效應(yīng)管 20N06的極限值(除非有特殊要求，T_J=25℃)：

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	VDS	60	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù)(TC=25℃)	ID	28	A
  漏極電流-連續(xù)(TC=100℃)		13
  漏極電流-脈沖	IDM	74
  雪崩電流	IAS	13
  單脈沖雪崩能量	EAS	22	mJ
  功耗(TC=25℃)	PD	31.3	W
  結(jié)到環(huán)境的熱阻	RθJA	62	℃/W
  結(jié)到管殼的熱阻	RθJC	4	℃/W
  工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度	TJ,TSTG	-55~175	℃

  
  

  
  

  貼片場(chǎng)效應(yīng)管 20N06的電特性(除非有特殊要求，TJ=25℃)：

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	60	65		V
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  柵極開(kāi)啟電壓	VGS(th)	1.2	1.6	2.5	V
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (VGS=10V,ID=15A)	RDS(ON)		28	36	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (VGS=4.5V,ID=7A)			38	45
  正向跨導(dǎo)	gfs		25.3		S
  輸入電容	Ciss		1027		PF
  輸出電容	Coss		65
  反向傳輸電容	Crss		46
  開(kāi)啟延遲時(shí)間	td(on)		2.8		nS
  開(kāi)啟上升時(shí)間	tr		16.6
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		21.2
  開(kāi)啟下降時(shí)間	tf		5.6
  總柵極電荷	Qg		19		nC
  柵源電荷密度	Qgs		2.5
  柵漏電荷密度	Qgd		5

  
  

  
  

  貼片場(chǎng)效應(yīng)管 20N06的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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