-60V MOSFET GMF25P06 TO-220F P溝道MOS管

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-10-19 11:44:06點(diǎn)擊：6次

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  -60V MOSFET GMF25P06 TO-220F P溝道MOS管

  
  

  
  

  P溝道MOS管 GMF25P06的特點(diǎn)：

  • 超低導(dǎo)通電阻

  • 快速開關(guān)能力

  • 封裝形式：TO-220F
    

  
  

  
  

  P溝道MOS管 GMF25P06的應(yīng)用領(lǐng)域：
  

  • 開關(guān)電源

  • DC-DC 變換和不間斷電源

  • 脈寬調(diào)制電機(jī)控制

  • 普通開關(guān)應(yīng)用
    

  
  

  
  

  P溝道MOS管 GMF25P06的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：

  

  
  

  
  

  P溝道MOS管 GMF25P06的極限值：
  

  • 漏極-源極電壓 BV_DSS：-60V

  • 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù)(T_C=25℃) I_D：-25A

  • 漏極電流-脈沖 I_DM：-100A

  • 總耗散功率 (T_C=25℃) P_TOT：40W

  • 熱阻 R_θJA：62.5℃/W

  • 結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度 T_J，T_stg：-55~150℃
    

  
  

  
  

  P溝道MOS管 GMF25P06的電特性：
  

  (如無特殊說明，T_A=25℃)
  

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	-60			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-1	-1.6	-2.5
  零柵壓漏極電流 VGS=0V,VDS=-60V	IDSS			-500	uA
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=-12.5A,VGS=-10V	RDS(ON)		45	60	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=-12.5A,VGS=-4V			80	110
  源極-漏極電流	ISD			-25	A
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			-3	V
  輸入電容	CISS		2000		pF
  共源輸出電容	COSS		700
  柵極電荷密度	Qg		7		nC
  開啟延遲時(shí)間	td(on)		15		ns
  開啟上升時(shí)間	tr		80
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		190
  開啟下降時(shí)間	tf		90

  
  

  
  

  P溝道MOS管 GMF25P06的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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