單向可控硅的結構控制原理是什么？

• 來源：宇芯電子 更新時間：2022-05-23 16:20:53點擊：6次

• 單向可控硅為具有三個 PN 結的四層結構，由最外層的 P 層、N 層引出兩個電極――陽 極 A 和陰極 K，由中間的 P 層引出控制極 G。電路符號好像為一只二極管，但好多一個引 出電極――控制極或觸發(fā)極 G。SCR 或 MCR 為英文縮寫名稱。 　　

  

  從控制原理上可等效為一只 PNP 三極管和一只 NPN 三極管的連接電路， 兩管的基極電 流和集電極電流互為通路，具有強烈的正反反饋作用。一旦從 G、K 回路輸入 NPN 管子的 基極電流，由于正反饋作用，兩管將迅即進入飽合導通狀態(tài)。

  
  

  可控硅導通之后，它的導通狀 態(tài)完全依靠管子本身的正反饋作用來維持，即使控制電流（電壓）消失，可控硅仍處于導通 狀態(tài)?？刂菩盘?UGK 的作用僅僅是觸發(fā)可控硅使其導通，導通之后，控制信號便失去控制 作用。

  
  

  
  

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