可控硅十條黃金規(guī)則匯總

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2019-12-25 15:30:25點(diǎn)擊：6次

• 
  

  可控硅十條黃金規(guī)則匯總

  
  

  規(guī)則1：為了導(dǎo)通閘流管(或雙向可控硅)，必須有門極電流 ≥I_GT，直至負(fù)載電流達(dá)到 ≥I_L。這條件必須滿足，并按可能遇到的最低溫度考慮。

  
  

  規(guī)則2：要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅)，負(fù)載電流必須 ＜I_H，并維持足夠長(zhǎng)的時(shí)間，使能回復(fù)至截止?fàn)顟B(tài)。在可能的最高運(yùn)行溫度下必須滿足上述條件。

  
  

  規(guī)則3：設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí)，只要有可能，就有避開 3⁺ 象限(WT2-，+)。

  
  

  規(guī)則4：為減少雜波吸收，門極連線長(zhǎng)度降至最低。返回線直接連至 MT1(或陰極)。若用硬線，用螺旋雙向或屏蔽線。門極和 MT1 間加電阻 1kΩ 或更小。高頻旁路電容和極間串接電阻。另一解決辦法，選用 H 系列低靈敏度雙向可控硅。

  
  

  規(guī)則5：若 dV_D/dt 或 dV_COM/dt 可能引起問(wèn)題，在 MT1 和MT2 間加入 RC 緩沖電路。
  

                若高 dI_COM/dt 可能引起問(wèn)題，加入一幾 mH 的電感和負(fù)載串聯(lián)。

                另一種解決方法，采用 Hi-Com 雙向可控硅。

  
  

  規(guī)則6：假如雙向可控硅的 V_DRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過(guò)程中有可能被超出，采用下列措施之一：

                負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾 μH 的不飽和電感，以限制 dI_T/dt；

                用 MOV 跨接于電源，并在電源側(cè)增加濾波電路。

  
  

  規(guī)則7：選用好的門極觸發(fā)電路，避開 3⁺ 象限工況，可以最大限度提高雙向可控硅的dI_T/dt 承受能力。

  
  

  規(guī)則8：若雙向可控硅的 dI_T/dt 有可能被超出，負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾 μH 的無(wú)鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法：對(duì)電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通。

  
  

  規(guī)則9：器件固定到散熱器，避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定，然后焊接引線。不要把柳釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。

  
  

  規(guī)則10：為了長(zhǎng)期可靠工作，應(yīng)保證 R_{th j-a} 足夠低，維持 T_j 不高于 T_jmax，其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。
  

  
  

  
  

  ---

  聲明：本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容，如需轉(zhuǎn)載，請(qǐng)注明出處；本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容（文章、圖片、視頻）等資料版權(quán)歸原網(wǎng)站所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片，未能及時(shí)和您確認(rèn)，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失，請(qǐng)電郵聯(lián)系我們，以便迅速采取適當(dāng)處理措施；郵箱：limeijun@yushin88.com