貼片場(chǎng)效應(yīng)管 100N15 TO-252 150V中低壓MOS管 國(guó)產(chǎn)MOSFET
貼片場(chǎng)效應(yīng)管 100N15的主要參數(shù)：
VDS=150V
ID=100A
RDS(ON)＜18mΩ@VGS=10V(Type：13.8mΩ)
封裝：TO-252
貼片場(chǎng)效應(yīng)管 100N15的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TC=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| VDS | 漏極-源極電壓 | 150 | V |
| VGS | 柵極-源極電壓 | ±20 | |
| ID | 漏極電流-連續(xù)(TC=25℃) | 100 | A |
| 漏極電流-連續(xù)(TC=100℃) | 56 | ||
| IDM | 漏極電流-脈沖 | 360 | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量 | 280 | mJ |
| PD | 總耗散功率 TC=25℃ | 214 | W |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作結(jié)溫 | -55~150 | |
| RθJA | 結(jié)到環(huán)境的熱阻 | 0.7 | ℃/W |
| RθJC | 結(jié)到管殼的熱阻 | 62.5 |
貼片場(chǎng)效應(yīng)管 100N15的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 150 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=20A | 13.8 | 18 | mΩ | |
| VGS(th) | 柵極開(kāi)啟電壓 | 2.5 | 3 | 4.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=30V,VGS=0V | 1 | mA | ||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 8.3 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 4.1 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1346 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 211 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 18 | |||
| td(on) | 開(kāi)啟延遲時(shí)間 | 11 | ns | ||
| tr | 開(kāi)啟上升時(shí)間 | 15 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 14 | |||
| tf | 開(kāi)啟下降時(shí)間 | 4 |
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