2A 微觸發(fā)單向可控硅 2P4M TO-126 國產可控硅

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-05-19 14:09:49點擊：6次

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  2A 微觸發(fā)單向可控硅 2P4M TO-126 國產可控硅

  
  

  
  

  國產可控硅 2P4M的特點：

  • PNPN 四層結構的硅單向器件

  • 門極靈敏觸發(fā)

  • P 型對通擴散隔離

  • 臺面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-126
    

  
  

  
  

  國產可控硅 2P4M的引腳圖：

  

  
  

  
  

  國產可控硅 2P4M的應用：

         摩托車點火器、汽油機點火器、LED燈控制器、彩燈控制器、咖啡壺、直發(fā)器
  

  
  

  
  

  國產可控硅 2P4M的極限值(T_CASE=25℃)：

  符號	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDRM/VRRM	斷態(tài)重復峰值電壓	600/800	V
  IT(RMS)	通態(tài)均方根電流	3	A
  IT(AV)	通態(tài)平均電流	2
  ITSM	通態(tài)不重復浪涌電流	20
  I2t	I2t 值	2	A2s
  dIT/dt	通態(tài)電流臨界上升率	50	A/μs
  IGM	門極峰值電流	0.2	A
  PGM	門極峰值功率	0.5	W
  PG(AV)	門極平均功率	0.1
  TSTG	存儲溫度	-40~+150	℃
  Tj	工作結溫	-40~+110

  
  

  
  

  國產可控硅 2P4M的電特性：

  符號	參數(shù)	最小值	典型值	最大值	單位
  IGT	門極觸發(fā)電流	10		200	μA
  VGT	門極觸發(fā)電壓			0.8	V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流		1	3	mA
  IL	擎住電流			4
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	10			V/μs
  VTM	通態(tài)壓降			1.55	V
  IDRM/IRRM	斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃			5	μA
  	斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=110℃			100

  
  

  
  

  國產可控硅 2P4M的參數(shù)特性曲線：

  

  
  

  
  

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