高結(jié)溫可控硅 BT169 TO-92 小電流單向可控硅

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-06-03 09:56:10點(diǎn)擊：6次

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  高結(jié)溫可控硅 BT169 TO-92 小電流單向可控硅
  

  
  

  
  

  高結(jié)溫可控硅 BT169的特點(diǎn)：

  • PNPN 四層結(jié)構(gòu)的硅單向器件

  • 門(mén)極靈敏觸發(fā)

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝外形：TO-92
    

  
  

  
  

  高結(jié)溫可控硅 BT169的引腳圖：

  

  
  

  
  

  高結(jié)溫可控硅 BT169的應(yīng)用領(lǐng)域：

     BT169可控硅應(yīng)用于：脈沖點(diǎn)火器、負(fù)離子發(fā)生器、邏輯電路驅(qū)動(dòng)、彩燈控制器、漏電保護(hù)器、吸塵器軟啟動(dòng)等。
  

  
  

  
  

  高結(jié)溫可控硅 BT169的極限值(T_CASE=25℃)：

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDRM/VRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電壓	600/800	V
  IT(AV)	通態(tài)平均電流	0.5	A
  IT(RMS)	通態(tài)均方根電流	0.8
  ITSM	通態(tài)不重復(fù)浪涌電流	8
  I2t	I2t 值	0.32	A2s
  dIT/dt	通態(tài)電流臨界上升率	50	A/μs
  IGM	門(mén)極峰值電流	0.2	A
  PGM	門(mén)極峰值功率	0.5	W
  PG(AV)	門(mén)極平均功率	0.1
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-40~+150	℃
  Tj	工作結(jié)溫	-40~+110

  
  

  
  

  高結(jié)溫可控硅 BT169的電特性：

  符號(hào)	參數(shù)	最小值	典型值	最大值	單位
  IGT	門(mén)極觸發(fā)電流	10		200	μA
  VGT	門(mén)極觸發(fā)電壓			0.8	V
  VGD	門(mén)極不觸發(fā)電壓	0.2
  IH	維持電流			3	mA
  IL	擎住電流			4
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	10			V/μs
  VTM	通態(tài)壓降			1.5	V
  IDRM/IRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃			5	μA
  	斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=110℃			100

  
  

  
  

  高結(jié)溫可控硅 BT169的參數(shù)特性曲線：

  

  
  

  
  

  高結(jié)溫可控硅 BT169的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

  
  

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