單向可控硅是一種可控整流電子元件，能在外部控制信號作用下由關斷變?yōu)閷?，但一旦導通，外部信號就無法使其關斷，只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，那么如何判斷單向可控硅參數(shù)損壞原因分析？
1、電壓擊穿。
晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。
2、電流損壞。
電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠離控制極上。
3 電流上升率損壞。
其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。
4、 邊緣損壞。
他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。
5、G-K 電壓擊穿。
晶閘管 G-K 間因不能承受反向電壓（12V）而損壞，其芯片 G-K 間有燒焦的通路（短路痕跡）。
聲明：本網站原創(chuàng)內容，如需轉載，請注明出處；本網站轉載的內容（文章、圖片、視頻）等資料版權歸原網站所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片，未能及時和您確認，避免給雙方造成不必要的經濟損失，請電郵聯(lián)系我們，以便迅速采取適當處理措施；郵箱：limeijun@yushin88.com
掃二維碼進入手機網站