國產(chǎn)MOS管 12N10 TO-252 場效應(yīng)管的引腳圖

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-07-21 09:48:37點(diǎn)擊：6次

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  國產(chǎn)MOS管 12N10 TO-252 場效應(yīng)管的引腳圖

  
  

  
  

  

  
  

  
  

  國產(chǎn)MOS管 12N10的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 消費(fèi)電子電源

  • 電機(jī)控制

  • 同步整流

  
  

  
  

  國產(chǎn)MOS管 12N10的極限參數(shù)(T_CASE=25℃)：

  • 漏極-源極電壓 V_DS：100V

  • 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) I_D：12A

  • 功耗 P_D：17W

  • 雪崩能量 E_AS：1.2mJ

  • 存儲溫度，結(jié)溫 T_stg，T_j：-55~+150℃

  
  

  
  

  國產(chǎn)MOS管 12N10的電特性：

  參數(shù)	符號	測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	VGS=0V,ID=250μA	100			V
  柵極開啟電壓	VGS(TH)	VDS=VGS,ID=250μA	1.5		2.5
  柵極漏電流	IGSS	VGS=±20V			±100	nA
  零柵壓漏極電流	IDSS	VDS=100V,VGS=0V			1	uA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻	RDS(ON)	VGS=10V,ID=5A		110	140	mΩ
  		VGS=4.5V,ID=3A		160	300
  輸入電容	Ciss	VGS=0V,VDS=50V,f=100KHz		206.1		pF
  輸出電容	Coss			28.9
  反向傳輸電容	Crss			1.4
  開啟延遲時間	td(on)	VGS=10V,VDS=50V RG=2Ω,ID=5A		14.7		ns
  開啟上升時間	tr			3.5
  關(guān)斷延遲時間	td(off)			20.9
  開啟下降時間	tf			2.7
  柵源電荷密度	Qgs	VDS=50V,VGS=10V,ID=5A		1.5		nC
  柵漏電荷密度	Qgd			1.1

  
  

  
  

  國產(chǎn)MOS管 12N10的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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