國(guó)產(chǎn)替代可控硅 BT131 TO-92 小家電用可控硅
國(guó)產(chǎn)替代可控硅 BT131的特點(diǎn):
NPNPN 五層結(jié)構(gòu)的硅雙向器件
P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離
臺(tái)面玻璃鈍化工藝
背面多層金屬電極
符合 RoHS 規(guī)范
封裝形式:SOT-89-3L、TO-92、SOT-223-3L
國(guó)產(chǎn)替代可控硅 BT131的應(yīng)用領(lǐng)域:
BT131可控硅應(yīng)用于:加熱控制器、彩燈控制器、電飯煲、燃?xì)恻c(diǎn)火器、電風(fēng)扇調(diào)速器等...
國(guó)產(chǎn)替代可控硅 BT131的引腳圖:

國(guó)產(chǎn)替代可控硅 BT131的極限值(TCASE=25℃):
斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 VDRM/VRRM ---------------------------------------- 600/800V
通態(tài)均方根電流 IT(RMS) ------------------------------------------------ 1A
通態(tài)不重復(fù)浪涌電流 ITSM ---------------------------------------------- 16A
門(mén)極峰值電流 IGM ------------------------------------------------------- 2A
門(mén)極峰值功率PGM ------------------------------------------------------- 5W
門(mén)極平均功率PG(AV) ----------------------------------------------------- 0.5W
存儲(chǔ)溫度 TSTG ------------------------------------------------------------ -40~+150℃
工作結(jié)溫 Tj --------------------------------------------------------------- -40~+125℃
國(guó)產(chǎn)替代可控硅 BT131的電特性:
| 符號(hào) | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 | |
| D | E | |||
| IGT | 門(mén)極觸發(fā)電流 I-II-III | ≤3 | ≤5 | mA |
門(mén)極觸發(fā)電流 IV | ≤5 | ≤10 | ||
| VGT | 門(mén)極觸發(fā)電壓 | ≤1.3 | V | |
| VGD | 門(mén)極不觸發(fā)電壓 | ≥0.2 | ||
| IH | 維持電流 | ≤5 | ≤5 | mA |
| IL | 擎住電流 I-III-IV | ≤6 | ≤10 | |
擎住電流 II | ≤10 | ≤15 | ||
| dVD/dt | 斷態(tài)電壓臨界上升率 | ≥20 | ≥50 | V/μs |
| VTM | 通態(tài)壓降 | ≤1.55 | V | |
| IDRM/IRRM | 斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ | ≤5 | μA | |
斷態(tài)重復(fù)峰值電流 VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ | ≤100 | |||
國(guó)產(chǎn)替代可控硅 BT131的封裝外形尺寸:

聲明:本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容,如需轉(zhuǎn)載,請(qǐng)注明出處;本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容(文章、圖片、視頻)等資料版權(quán)歸原網(wǎng)站所有。如我們采用了您不宜公開(kāi)的文章或圖片,未能及時(shí)和您確認(rèn),避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失,請(qǐng)電郵聯(lián)系我們,以便迅速采取適當(dāng)處理措施;郵箱:limeijun@yushin88.com