P溝道MOS管 GM2307 SOT-23 貼片場(chǎng)效應(yīng)管

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-09-30 10:38:11點(diǎn)擊：6次

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  P溝道MOS管 GM2307 SOT-23 貼片場(chǎng)效應(yīng)管

  
  

  
  

  P溝道MOS管 GM2307的特點(diǎn)：

  • 低導(dǎo)通電阻和最大直流電流能力

  • 超高元胞密度設(shè)計(jì)

  • 封裝形式：SOT-23
    

  
  

  
  

  P溝道MOS管 GM2307的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 筆記本電源管理

  • 便攜式設(shè)備

  • 電池電源系統(tǒng)

  • DC/DC變換

  • 負(fù)載開關(guān)應(yīng)用
    

  
  

  
  

  P溝道MOS管 GM2307的內(nèi)部結(jié)構(gòu)：

  

  
  

  
  

  P溝道MOS管 GM2307的極限值：

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	-30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) (TA=25℃)	ID	-3	A
  漏極電流-脈沖	IDM	-12
  總耗散功率 (TA=25℃)	PD	1.04	W
  總耗散功率 (TA=70℃)		0.67
  熱阻	RθJA	120	℃/W
  結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度	TJ,Tstg	-55~+150	℃

  
  

  
  

  P溝道MOS管 GM2307的電特性：

  如無(wú)特殊說明，T_A=25℃

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓 ID=-250uA,VGS=0V	BVDSS	-30			V
  柵極開啟電壓 ID=-250uA,VGS=VDS	VGS(th)	-1		-3
  內(nèi)附二極管正向壓降 ISD=-1A,VGS=0V	VSD			-1.2	V
  零柵壓漏極電流 VGS=0V,VDS=-30V	IDSS			-1	uA
  柵極漏電流 VGS=±10V,VDS=0V	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=-3.2A,VGS=-10V	RDS(ON)		58	70	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=-2.5A,VGS=-4.5V			75	95
  輸入電容 VGS=0V,VDS=-15V，f=1MHz	CISS		460		pF
  輸入電容 VGS=0V,VDS=-15V，f=1MHz	COSS		74
  柵源電荷密度 VDS=-15V,ID=-1.7A,VGS=-4.5V	Qgs		2.8		nC
  柵漏電荷密度 VDS=-15V,ID=-1.7A,VGS=-4.5V	Qgd		2.3
  開啟延遲時(shí)間 VDS=-15V,ID=-1A,RGEN=6Ω,VGS=-10V	td(on)		33		ns
  開啟上升時(shí)間 VDS=-15V,ID=-1A,RGEN=6Ω,VGS=-10V	tr		17
  關(guān)斷延遲時(shí)間 VDS=-15V,ID=-1A,RGEN=6Ω,VGS=-10V	td(off)		39
  關(guān)斷下降時(shí)間 VDS=-15V,ID=-1A,RGEN=6Ω,VGS=-10V	tf		5

  
  

  
  

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