30VN溝道MOS管 GMW010N03 TO-252 貼片MOSFET

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2020-10-31 16:31:09點(diǎn)擊：6次

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  30VN溝道MOS管 GMW010N03 TO-252 貼片MOSFET

  
  

  
  

  30VN溝道MOS管 GMW010N03的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 電源管理

  • 脈寬調(diào)制

  • 負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用
    

  
  

  
  

  30VN溝道MOS管 GMW010N03的特點(diǎn)：

  • 低導(dǎo)通電阻和最大直流電流能力

  • 超高元胞密度設(shè)計(jì)

  • 封裝形式：TO-252
    

  
  

  
  

  30VN溝道MOS管 GMW010N03的引腳排列圖：

  

  
  

  
  

  30VN溝道MOS管 GMW010N03的電特性：
  

  參數(shù)	符號(hào)	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù) TC=25℃	ID	40	A
  漏極電流-脈沖	IDM	160
  總耗散功率 TC=25℃	PTOT	40	W
  熱阻	RθJC	3	℃/W
  結(jié)溫/存儲(chǔ)溫度	TJ,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  30VN溝道MOS管 GMW010N03的電特性：
  

  如無(wú)特殊說(shuō)明，T_A=25℃

  參數(shù)	符號(hào)	最小值	典型值	最大值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	BVDSS	30			V
  柵極開(kāi)啟電壓	VGS(th)	1	1.5	2.5
  零柵壓漏極電流	IDSS			1	uA
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=20A,VGS=10V	RDS(ON)		7.6	10	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 ID=10A,VGS=4.5V			11	17
  內(nèi)附二極管正向壓降	VSD			1.2	V
  輸入電容	CISS		1000		pF
  共源輸出電容	COSS		140
  回饋電容	CRSS		100
  柵極電荷密度	Qg		23		nC
  柵源電荷密度	Qgs		4
  柵漏電荷密度	Qgd		7
  開(kāi)啟延遲時(shí)間	td(on)		7		ns
  開(kāi)啟上升時(shí)間	tr		23
  關(guān)斷延遲時(shí)間	td(off)		30
  開(kāi)啟下降時(shí)間	tf		5

  
  

  
  

  30VN溝道MOS管 GMW010N03的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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