低內(nèi)阻MOS管 EMB03P03H EDFN5X6 貼片場效應(yīng)管 MOS管03P03

• 來源：宇芯電子 更新時間：2020-12-22 14:23:33點擊：6次

• 
  

  低內(nèi)阻MOS管 EMB03P03H EDFN5X6 貼片場效應(yīng)管 MOS管03P03

  
  

  
  

  低內(nèi)阻MOS管 EMB03P03H的引腳圖：

  

  
  

  
  

  低內(nèi)阻MOS管 EMB03P03H的極限參數(shù)：

  （如無特殊說明,T_A=25℃）

  參數(shù)	符號	數(shù)值	單位
  漏極-源極電壓	BVDSS	-30	V
  柵極-源極電壓	VGS	±20
  漏極電流-連續(xù)（TC=25℃）	ID	-85A	A
  漏極電流-連續(xù)（TC=100℃）		-65
  漏極電流-脈沖	IDM	-260
  雪崩電流	IAS	-80
  雪崩能量	EAS	320	mJ
  重復(fù)雪崩能量	EAR	160
  功耗（TC=25℃）	PD	69	W
  功耗（TC=100℃）		27
  工作結(jié)溫和存儲溫度	Tj,Tstg	-55~150	℃

  
  

  
  

  低內(nèi)阻MOS管 EMB03P03H的電特性：

  （如無特殊說明,TJ=25℃）

  參數(shù)	符號	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  漏極-源極擊穿電壓	V(BR)DSS	-30			V
  柵極開啟電壓	VGS(th)	-1	-1.5	-3
  柵極漏電流	IGSS			±100	nA
  零柵壓漏極電流 （VDS=-24V,VGS=0V）	IDSS			-1	μA
  零柵壓漏極電流 （VDS=-20V,VGS=0V，TJ=125℃）				-10
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 （VGS=-10V,ID=-30A）	RDS(ON)		2.7	3.1	mΩ
  靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 （VGS=-4.5V,ID=-30A）			4	5
  正向跨導(dǎo)	gfs		70		S
  輸入電容	Ciss		6400		pF
  輸出電容	Coss		913
  反向傳輸電容	Ciss		656
  柵極總電荷	Qg		96.5		nC
  柵源電荷密度	Qgs		24.8
  柵漏電荷密度	Qgd		13.8

  
  

  
  

  低內(nèi)阻MOS管 EMB03P03H的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

  ---

  聲明：本網(wǎng)站原創(chuàng)內(nèi)容，如需轉(zhuǎn)載，請注明出處；本網(wǎng)站轉(zhuǎn)載的內(nèi)容（文章、圖片、視頻）等資料版權(quán)歸原網(wǎng)站所有。如我們采用了您不宜公開的文章或圖片，未能及時和您確認(rèn)，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失，請電郵聯(lián)系我們，以便迅速采取適當(dāng)處理措施；郵箱：limeijun@yushin88.com