MOS管7N65 650V高壓MOS管 7N65 場效應(yīng)管引腳排列

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-03-17 18:17:54點(diǎn)擊：6次

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  MOS管7N65 650V高壓MOS管 7N65 場效應(yīng)管引腳排列

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的符號(hào)圖：

  

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的應(yīng)用：

  • 不間斷電源(UPS)

  • 功率因數(shù)補(bǔ)償(PFC)
    

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的特點(diǎn)：
  

  • V_DS=650V

  • I_D=7A

  • R_DS(ON)＜2.4Ω@V_GS=10V

  • 封裝：TO-220、TO-220F

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的極限參數(shù)：

  (如無特殊要求，T_C=25℃)

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDSS	漏極-源極電壓	650	V
  VGSS	柵極-源極電壓	±30
  ID	漏極電流-連續(xù)	7	A
  IDM	漏極電流-脈沖	28
  PD	總耗散功率 TC=25℃	63	W
  EAS	單脈沖雪崩能量	198	mJ
  EAR	重復(fù)雪崩能量	40
  IAR	雪崩電流	3.5	A
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-55~150	℃
  TJ	工作結(jié)溫	-55~150
  RθJA	結(jié)到環(huán)境的熱阻	62.5	℃/W
  RθJC	結(jié)到管殼的熱阻	1.29

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的電特性：

  (如無特殊要求，T_A=25℃)

  符號(hào)	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  V(BR)DSS	漏極-源極擊穿電壓	650			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=2A		1.1	1.35	Ω
  VGS(th)	柵極開啟電壓	3		4	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=650V，VGS=0V，TJ=25℃			1	uA
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  Qg	柵極電荷		22		nC
  Qgs	柵源電荷密度		4.3
  Qgd	柵漏電荷密度		13
  Ciss	輸入電容		891		pF
  Coss	輸出電容		110
  Crss	反向傳輸電容		14
  td(on)	開啟延遲時(shí)間		15		ns
  tr	開啟上升時(shí)間		18
  td(off)	關(guān)斷延遲時(shí)間		80
  tf	開啟下降時(shí)間		35

  
  

  
  

  650V高壓MOS管 7N65的參數(shù)特性曲線圖：

  (如無特殊要求，T_J=25℃)

  

  
  

  

  
  

  
  

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