低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10 國(guó)產(chǎn)MOS管替換 MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域

• 來源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-03-20 16:05:53點(diǎn)擊：6次

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  低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10 國(guó)產(chǎn)MOS管替換 MOSFET應(yīng)用領(lǐng)域

  
  

  
  

  低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10的特點(diǎn)：

  • V_DS=100V

  • I_D=3.8A

  • R_DS(ON)＜240mΩ@V_GS=10V

  • 封裝：SOT-23-3L
    

  
  

  
  

  低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10的應(yīng)用領(lǐng)域：

  • 負(fù)載開關(guān)

  • 電池保護(hù)

  • 不間斷電源
    

  
  

  
  

  低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10的極限值：

  (如無特殊說明，T_C=25℃)

  • 漏極-源極電壓 V_DS：100V

  • 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

  • 漏極電流-連續(xù) I_D：3.5A

  • 漏極電流-脈沖 I_DM：8A

  • 總耗散功率 P_D：3.76W

  • 存儲(chǔ)溫度 T_STG：-55~150℃

  • 工作結(jié)溫 T_J：-55~150℃

  • 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：70℃/W

  • 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：30℃/W
    

  
  

  
  

  低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10的電特性：

  (如無特殊說明，T_J=25℃)

  符號(hào)	參數(shù)	MIN值	TYP值	MAX值	單位
  BVDSS	漏極-源極擊穿電壓	100			V
  RDS(ON)	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=1A		210	240	mΩ
  	靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=0.5A		240	280
  VGS(th)	柵極開啟電壓	1	1.9	2.5	V
  IDSS	零柵壓漏極電流 VDS=100V,VGS=0V,TJ=25℃			1	uA
  	零柵壓漏極電流 VDS=80V,VGS=0V,TJ=125℃			10
  IGSS	柵極漏電流			±100	nA
  gfs	正向跨導(dǎo)		2.3		S
  Qg	柵極總電荷		9	18	nC
  Qgs	柵源電荷密度		2.3	4.6
  Qgd	柵漏電荷密度		1.1	2.5
  Ciss	輸入電容		152	200	pF
  Coss	輸出電容		17	20
  Crss	反向傳輸電容		10	15
  td(on)	開啟延遲時(shí)間		5.2	10	ns
  tr	開啟上升時(shí)間		6.8	12
  td(off)	關(guān)斷延遲時(shí)間		14.5	28
  tf	開啟下降時(shí)間		2.1	5

  
  

  
  

  低內(nèi)阻場(chǎng)效應(yīng)管 4N10的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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