國(guó)產(chǎn)可控硅 BTB16 TO-263 雙向可控硅型號(hào) 可替換可控硅T1635

• 來(lái)源：宇芯電子 更新時(shí)間：2021-03-23 14:08:58點(diǎn)擊：6次

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  國(guó)產(chǎn)可控硅 BTB16 TO-263 雙向可控硅型號(hào) 可替換可控硅T1635

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 BTB16的引腳圖：

  

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 BTB16的應(yīng)用領(lǐng)域：

          國(guó)產(chǎn)可控硅 BTB16應(yīng)用于：加熱控制器、調(diào)速控制器、洗衣機(jī)、攪拌機(jī)、果汁機(jī)、電動(dòng)工具、吸塵器等家用電器。

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 BTB16的特點(diǎn)：

  • NPNPN 五層結(jié)構(gòu)的硅雙向器件

  • P 型對(duì)通擴(kuò)散隔離

  • 臺(tái)面玻璃鈍化工藝

  • 背面多層金屬電極

  • 工作結(jié)溫高，換向能力強(qiáng)

  • 高電壓變化率 dV/dt

  • 大電流變化率 dI/dt

  • 符合 RoHS 規(guī)范

  • 封裝形式：TO-263
    

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 BTB16的極限參數(shù)(T_CASE=25℃)：

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值	單位
  VDRM/VRRM	斷態(tài)重復(fù)峰值電壓	600/800	V
  IT(RMS)	通態(tài)均方根電流	16	A
  ITSM	通態(tài)不重復(fù)浪涌電流	160
  I2t	I2t 值	140	A2s
  dIT/dt	通態(tài)電流臨界上升率	50	A/μs
  IGM	門極峰值電流	4	A
  PG(AV)	門極平均功率	1	W
  TSTG	存儲(chǔ)溫度	-40~+150	℃
  Tj	工作結(jié)溫	-40~+125

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 BTB16的電特性：

  符號(hào)	參數(shù)	數(shù)值			單位
  		SW	CW	BW
  IGT	門極觸發(fā)電流	≤10	≤35	≤50	mA
  VGT	門極觸發(fā)電壓	≤1.3			V
  VGD	門極不觸發(fā)電壓	≥0.2
  IH	維持電流	≤15	≤30	≤50	mA
  IL	擎住電流  I-III	≤25	≤50	≤70
  	擎住電流  II	≤30	≤60	≤80
  dVD/dt	斷態(tài)電壓臨界上升率	≥40	≥500	≥1000	V/μs
  VTM	通態(tài)壓降	≤1.55			V

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 BTB16的參數(shù)特性曲線圖：

  

  
  

  
  

  國(guó)產(chǎn)可控硅 BTB16的封裝外形尺寸：

  

  
  

  
  

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