MOS管使用推挽的作用是什么?為什么要考慮電流大小呢?
當(dāng)MOS管驅(qū)動能力不足時,我們會使用推挽電路來放大電流,但是MOS管明明是壓控型器件,為什么要去考慮電流大小呢?

推挽工作原理:由電源IC發(fā)出占空比信號,也就是這個方波,通過電阻限流到達(dá)三極管的基極:上管是npn下管是pnp。
當(dāng)信號為高電平輸出到達(dá)三極管基極時, Q1導(dǎo)通,(npn在高電平時導(dǎo)通),隨后MOS管導(dǎo)通。

當(dāng)輸出低電平時,上管Q1截止,Q2導(dǎo)通(pnp是低電平導(dǎo)通),隨后MOS管通過電阻放電到地,最后截止。

也就是說,通過兩個三極管輪流工作來進(jìn)行一推一挽,來達(dá)到推挽的功能。
這里的R1的作用是用來確定開機(jī)時候的初始電位,以防開機(jī)誤觸發(fā)mos管,以及關(guān)機(jī)放電。
那R2呢?有沒有小伙伴知道的在評論區(qū)解答一下~
通常會使用推挽電路是因?yàn)?,有時一些IC或者CPU的電流比較小,不足以驅(qū)動MOS管,所以加入推挽來增加驅(qū)動能力。
那為什么MOS管是壓控性器件,還需要考慮電流大小進(jìn)行驅(qū)動?
這是一個IC直接驅(qū)動電路:

首先需要從IC手冊中了解它最大的峰值驅(qū)動電流(不同IC晶片驅(qū)動能力不同),C1、C2決定了MOS管被驅(qū)動時的導(dǎo)通速度。
當(dāng)IC電流比較小時,C1 C2會比較大,這時MOS管的驅(qū)動速度會變慢,在有些電路中是不適應(yīng)的。
原因很簡單,這是因?yàn)镸OS管的輸入電容CGS和CGD這兩個電容和晶片的面積有一定關(guān)系,MOS管本質(zhì)上雖然是壓控型器件,但柵極電位的上升與下降本質(zhì)上是對CGS 、CGD電容的充放電速度。

因此當(dāng)MOS管驅(qū)動能力不足時,就需要利用推挽來進(jìn)行放大電流了。
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