MOS 管參數(shù)測試方法：全面圖文指南

• 來源：宇芯電子 更新時間：2025-09-16 16:26:31點擊：6次

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  MOS 管參數(shù)測試方法：全面圖文指南

  
  

  
  

  在電子電路領域，MOS 管是一種極為重要的電子元件。2025 年 8 月 3 日消息，本文將以詳細圖文的形式，為大家深入介紹 MOS 管參數(shù)的測試方法。

   

  溝槽式場效應管 Trench MOSFET 作為目前較為常用的金屬 - 氧化物半導體場效應晶體管，具有顯著的優(yōu)勢。它具備低導通電阻和低柵漏電荷密度的特點，這使得其功率損耗低、開關速度快。而且，由于 Trench MOSFET 屬于垂直結構器件，能夠進一步提高溝道密度，減少芯片尺寸，從而讓功率場效應管的 SMD 微型封裝成為現(xiàn)實。

   

  在手機電池保護電路中，常常會用到兩個場效應管共漏極使用的 MOSFET。這是因為在手機保護電路中，既需要進行過充檢測，也需要進行過放檢測。該類 MOSFET 的內部電路結構如下圖虛線內所示：

   

  

   

  當我們打開該類 MOS 的規(guī)格書時，會看到許多相關參數(shù)：

   

  

  
  

  接下來，我們詳細介紹這些參數(shù)的測試方法。需要注意的是，下文中加粗字體為變量，需根據(jù) MOS 規(guī)格書來確定實際參數(shù)。

   

  1、VSSS 耐壓測試

  按下圖連接測試電路，設置 VGS = 0V，VSS1 從 0V 以 0.1V 步增，逐漸增加電壓至 IS = 1mA，且 MOS 無損毀，記錄 VSS1 的電壓。

   

  

   

  同時，按下圖連接測試電路，設置 VGS = 0V，VSS2 從 0V 以 0.1V 步增，瞬間增加電壓至 IS = 1mA，且 MOS 無損毀，記錄 VSS2 的電壓。

   

  

   

  2、ISSS 電流測試

  按下圖連接測試電路，設置 VSS = 12V，VGS = 0V，記錄下 ISSS。

   

  

   

  3、VGS (th) 開啟電壓測試

  按下圖連接測試電路，設置 VSS = 6V，以 0.1V 同步增加 VGS1 的電壓，直至 ISS = 1mA，記錄下此時 VGS1 的電壓，同理測試另一 FET 的 VGS2。

   

  

   

  4、IGSS 柵極漏電流測試

  按下圖連接測試電路，設置 VSS = 0V，VGS1 = ±8V，記錄下 IGSS1，同理測試另一 FET 的 IGSS2。

   

  

   

  5、RSS (on) 內阻測試

  按下圖連接測試電路，設置 IS = 6A，分別測試 VGS 等于 4.5V、4.0V、3.8V、3.1V、2.5V 時，S1 與 S2 兩端的電壓 VS1S2，RSS（on） = VS1S2 / 6A。

   

  6、VFSS 二極管導通電壓測試

  按下圖連接測試電路，設置 VGS2 = 4.5V，VGS1 = 0V，VS1S2 = 4.5V，IS1S2 = 6A，記錄下測試的 VFSS1。同理，設置 VGS1 = 4.5V，VGS2 = 0V，VS2S1 = 4.5V，IS2S1 = 6A，記錄下測試的 VFSS2。

   

  

  
  

  綜上所述，通過這些詳細的測試方法，我們可以準確地獲取 MOS 管各項參數(shù)，從而更好地了解和應用 MOS 管。這對于電子工程師在電路設計和調試過程中具有重要的指導意義。

  
  

  
  

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