
8A三端雙向可控硅 控溫用可控硅 T835-3Q TO-220F 雙向可控硅T835
控溫用可控硅 T835的產(chǎn)品特征:
NPNPN 五層結構的硅雙向器件
P 型對通擴散隔離
臺面玻璃鈍化工藝
背面多層金屬電極
工作結溫高,換向能力強
高電壓變化率 dV/dt
大電流變化率 dI/dt
符合 RoHS 規(guī)范
封裝形式:TO-220F
控溫用可控硅 T835的產(chǎn)品應用:
加熱控制器
馬達調(diào)速控制器
麻將機
攪拌機
直發(fā)器
面包機等家用電器
控溫用可控硅 T835的極限值(TCASE=25℃):
斷態(tài)重復峰值電壓 VDRM/VRRM:600/800V
通態(tài)均方根電流 IT(RMS):8A
通態(tài)不重復浪涌電流 ITSM:80A
I2t值:36A2s
通態(tài)電流臨界上升率 dIT/dt:50Aμs
門極峰值電流 IGM:4A
門極平均功率 PG(AV):1W
存儲溫度 TSTG:-40~+150℃
工作結溫 Tj:-40~+125℃
控溫用可控硅 T835的電特性:
| 符號 | 參數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
| IGT | 門極觸發(fā)電流 | ≤35 | mA |
| VGT | 門極觸發(fā)電壓 | ≤1.3 | V |
| VGD | 門極不觸發(fā)電壓 | ≥0.2 | |
| IH | 維持電流 | ≤35 | mA |
| IL | 擎住電流 I-III | ≤50 | |
擎住電流 II | ≤60 | ||
| dVD/dt | 斷態(tài)電壓臨界上升率 | ≥400 | V/μs |
| VTM | 通態(tài)壓降 | ≤1.55 | V |
| IDRM/IRRM | 斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,TJ=25℃ | ≤5 | μA |
斷態(tài)重復峰值電流 VD=VDRM/VRRM,TJ=125℃ | ≤1 | mA |