國(guó)產(chǎn)MOSFET 180N03 TO-263 貼片N型場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管180N03
國(guó)產(chǎn)MOSFET 180N03的特點(diǎn)：
VDS=30V
ID=180A
RDS(ON)＜3.2mΩ@VGS=10V
封裝：TO-263
國(guó)產(chǎn)MOSFET 180N03的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
不間斷電源
國(guó)產(chǎn)MOSFET 180N03的極限參數(shù)：
(如無(wú)特殊說明，TC=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：30V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：180A
漏極電流-脈沖 IDM：500A
單脈沖雪崩能量 EAS：246mJ
雪崩電流 IAS：70.2A
總耗散功率 PD：187W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~175℃
工作結(jié)溫 TJ：-55~175℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：0.8℃/W
國(guó)產(chǎn)MOSFET 180N03的電特性：
(如無(wú)特殊說明，Tj=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 30 | 38 | V | |
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=30A | 2.1 | 3.2 | mΩ | |
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=15A | 3 | 3.8 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IDSS | 零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=25℃ | 1 | uA | ||
零柵壓漏極電流 VDS=24V,VGS=0V,TJ=55℃ | 5 | ||||
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 56.9 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 13.8 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 23.5 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 5850 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 720 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 525 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 20.1 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 6.3 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 124.6 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 15.8 |
國(guó)產(chǎn)MOSFET 180N03的封裝外形尺寸圖：
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