功率場(chǎng)效應(yīng)管 20mΩ 57N10 TO-263 大電流NMOS 國(guó)內(nèi)MOSFET
大電流NMOS 57N10的應(yīng)用領(lǐng)域：
電池保護(hù)
負(fù)載開關(guān)
UPS不間斷電源
大電流NMOS 57N10的極限值：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
漏極-源極電壓 VDS：100V
柵極-源極電壓 VGS：±20V
漏極電流-連續(xù) ID：57A
漏極電流-脈沖 IDM：120A
單脈沖雪崩能量 EAS：30mJ
總耗散功率 PD：72W
存儲(chǔ)溫度 TSTG：-55~150℃
工作溫度 TJ：-55~150℃
結(jié)到環(huán)境的熱阻 RθJA：62℃/W
結(jié)到管殼的熱阻 RθJC：1.74℃/W
大電流NMOS 57N10的電特性：
(如無(wú)特殊說(shuō)明，TJ=25℃)
| 符號(hào) | 參數(shù) | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 單位 |
| BVDSS | 漏極-源極擊穿電壓 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=10V,ID=8A | 14 | 20 | mΩ | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 VGS=4.5V,ID=6A | 18 | 26 | |||
| VGS(th) | 柵極開啟電壓 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 柵極漏電流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 柵極電荷 | 19.8 | nC | ||
| Qgs | 柵源電荷密度 | 2.4 | |||
| Qgd | 柵漏電荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 輸入電容 | 1190.6 | pF | ||
| Coss | 輸出電容 | 194.6 | |||
| Crss | 反向傳輸電容 | 4.1 | |||
| td(on) | 開啟延遲時(shí)間 | 17.8 | ns | ||
| tr | 開啟上升時(shí)間 | 3.9 | |||
| td(off) | 關(guān)斷延遲時(shí)間 | 33.5 | |||
| tf | 開啟下降時(shí)間 | 3.2 |
大電流NMOS 57N10的封裝外形尺寸圖：
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