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同步整流MOS管 40N10 TO-252 國(guó)產(chǎn)替代場(chǎng)效應(yīng)管 大芯片 MOSFET參數(shù)

同步整流MOS管 40N10的應(yīng)用領(lǐng)域：

• 消費(fèi)電子電源

• 馬達(dá)控制

• 同步整流
  

同步整流MOS管 40N10的極限參數(shù)：

(如無(wú)特殊說(shuō)明，T_C=25℃)

• 漏極-源極電壓 V_DS：100V

• 柵極-源極電壓 V_GS：±20V

• 漏極電流-連續(xù) I_D：40A

• 漏極電流-脈沖 I_DM：100A

• 單脈沖雪崩能量 E_AS：160mJ

• 總耗散功率 P_D：27W

• 存儲(chǔ)溫度 T_STG：-55~150℃

• 工作溫度 T_J：-55~150℃

• 結(jié)到環(huán)境的熱阻 R_θJA：4.65℃/W

• 結(jié)到管殼的熱阻 R_θJC：62℃/W

同步整流MOS管 40N10的電特性：

(如無(wú)特殊說(shuō)明，T_C=25℃)